看过之前几天新闻的同学们可能还记得，在此之前我曾经跟大家聊过，作为老牌企业的铠侠推出了他们自己的一个全新的闪存概念，取消整个固态生产环节中的封装和焊接，转而直接通过晶圆进行读写。
虽然说没有样品，也仅仅是一个概念而已，但是对于目前的闪存行业来说确实称得上是一个“正面”的革新，但是今天要跟大家聊的东西就不太一样了，虽然同样是革新，但此次却依旧是脱了后腿的那种。
根据最新消息，Intel的144层QLC闪存已经完成开发，预计今年下半年正式量产，核心容量倒是与目前的96层QLC保持一致，均为1024Gbit。
具体来说，这个144层堆栈的闪存是Intel第四代技术，此前三代分别是32层、64层和96层堆栈，这也是Intel与美光分手之后独立开发的新一代闪存。
Intel自己宣称，这个新技术将继续使用传统的FG浮栅极技术，虽然说这样会导致制造难度提高，但是其可靠性要优于其他厂商的使用的CTP电荷肼技术。
值得一提的是，除了QLC之外，Intel还在开发PLC闪存，PLC的理论容量比QLC闪存提升25%，进一步提高容量并降低存储成本，同样的，其缺点也一个不落，可靠性及性能都不及QLC，这也是为什么目前没有厂商宣称量产PLC颗粒的原因之一了。
在推仔看来，QLC的普及趋势真的是越来越明显了，这也能理解，毕竟对于厂商而言，只要能降低成本，就是赚到了，哪怕为此付出的是寿命腰斩。毕竟用户的固态坏了就只能老老实实换一个新的，自己还能多赚一笔。至于数据安全，就更不关他们的事情了。
不管怎么说，我都不希望QLC大行其道的那一天真的到来，届时怕是TLC就和如今的MLC一样，一块难求了。
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