大家都知道，就在前段时间，Intel正式举办了新的架构日活动，在这次的活动上面，Intel可以说是化身“PPT”大厂，放出了非常多的新技术和产品信息。不光是大家期盼的下一代酷睿、还是研发了许久的Xe显卡都有所涉及。

不过考虑到Intel此次放出的东西太多，我还是将其拆分一下，本期新闻主要是跟大家聊一下，Intel在此次的架构日上面放出的各项技术。

SuperFin晶体管

大家都知道，目前主流的两大晶体管工艺分别是FinFET和GAA，而GAA是面向于3nm级别这种先进工艺的，台积电和三星都在尽力研发基于GAA的半导体工艺。

当然了由于众所周知的缘故，Intel和3nm还有这很远很远的距离，暂时不会考虑到。不过Intel在此次却提出了在10nm工艺上的SuperFin晶体管技术

简单来说Intel在目前的10nm工艺节点上将增强型FinFET晶体、Super MIM(金属-绝缘体-金属)电容器相结合，从而打造了全新的SuperFin。

Intel称，在SuperFin晶体管等各项技术的加持下，10nm工艺可以实现节点性能提升15％。

Hybrid Bonding（混合结合）

Intel此次推出的混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch)（Intel目前使用的3D Foveros立体封装技术仅能实现50微米左右的凸点间距）。

这也意味着该项技术可以带来更高的互连密度、更小更简单的电路、更大的带宽、更低的电容、更低的功耗。

Intel表示这次推出的HybridBonding技术，可以取代目前主流封装技术中的thermocompressionbonding（热压结合）。

Intel称采用这项封装技术的测试芯片已在2020年第二季度流片，不过并没有透露将使用该技术的产品。

在推仔看来，正如我之前所说过的，是不是PPT还是叫基于产品来判断的，不管你Intel的会议上怎么说，最终都是要落地与产品的，TigerLake已经近在眼前了，SuperFin究竟能不能成为Intel在10nm工艺节点上的“救命稻草”我们马上就能知道了。

只不过另一个Hybrid Bonding技术，在我这看就有股PPT那味了，尤其是到了最后，Intel也并没有表示这项技术将用于何处，这给人一种满满的PPT感觉，会不会做着做着就被Intel自己放弃掉了都不好说。毕竟现在已经有了很先进且相对成熟的3D Foveros了，何必在封装模式上死扣，有着精力布局先进工艺不好么，真指望14nm++和10nm++打一辈子？